ซัมซุงประกาศศักดา มุ่ง 3 เทคโนโลยีหลัก

ชิป NAND ขนาด 8 กิกะไบต์ ตัวแรกจากซัมซุง ซัมซุงอิเล็กทรอนิกซ์ประกาศความสำเร็จ 3 นวัตกรรมเทคโนโลยี หนึ่งคือ NAND Flash ขนาด 8 กิกะบิตที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 60 นาโนเมตร (8Gb 60nm NAND Flash) สองคือ DDR2 SDRAM ขนาด 2 กิกะบิตที่ใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 80 นาโนเมตร (2Gb 80nm DDR2 SDRAM) และสามคือโปรเซสเซอร์สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดพกพาความเร็ว 667 เมกะเฮิร์ตซ ที่ถือว่าเร็วที่สุดในขณะนี้ บริษัทซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics) ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำของโลก ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา 8Gb 60nm NAND Flash ได้สำเร็จก่อนใครในวงการผู้ผลิตเมมโมรี่ชิป (หนึ่งนาโนเมตรมีขนาดเท่ากับหนึ่งในพันล้านส่วนของหนึ่งเมตร) หากจะเทียบให้เห็นภาพชัดเจนมากขึ้น 8Gb 60nm NAND Flash สามารถเก็บไฟล์วีดีโอคุณภาพระดับดีวีดีได้นานถึง 16 ชั่วโมง หรือเก็บไฟล์เพลง MP3 ได้ถึง 4,000 เพลงในเมมโมรี่การ์ดแผ่นเดียว "นี่เป็นปรากฏการณ์แรกของวงการผลิตเมมโมรี่ชิป ที่ซัมซุงประสบความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตชิปขนาด 60 นาโนเมตรซึ่งเป็นเทคโนโลยีการผลิตในยุคถัดไป" ซัมซุงกล่าวในการแถลงข่าวเมื่อวันจันทร์ที่ผ่านมา (20 กันยายน 2547) "8Gb 60nm NAND Flash นี้จะสามารถพัฒนาเพื่อปรับใช้กับอุปกรณ์ไฮเทคขนาดพกพาได้หลากหลาย" ธุรกิจ NAND Flash ของซัมซุงนั้นมีแนวโน้มโตขึ้นเรื่อยๆ ยอดขาย NAND Flash เมื่อปี 2001 ที่มีมูลค่าราว 400 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ แต่ล่าสุดเมื่อปี 2003 ที่ผ่านมาพุ่งสูงถึง 2.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ สำหรับปีนี้ ซัมซุงคาดว่า ยอดขาย NAND Flash จะเพิ่มสูงขึ้นอีกเท่าตัว และมั่นใจว่าจะสามารถขยายมาร์เก็ตแชร์ในตลาดโลกได้ถึงระดับ 65% ซัมซุงคาดว่า จะเริ่มผลิตชิป 8Gb 60nm NAND Flash ได้ปลายปี 2005 ขณะที่ตอนต้นปีจะปล่อยรุ่น 4Gb ออกมาทำตลาดก่อน ปรากฏการณ์อย่างที่สองของซัมซุง คือ 2Gb 80nm DDR2 SDRAM ถือเป็นชิป DDR2 ตัวแรกของโลกที่ใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 80 นาโนเมตร DDR2 หรือ double-data-rate เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง ถูกหมายตาว่าจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของเครื่องเซิร์ฟเวอร์และเวิร์กสเตชันได้ และรองรับการทำงานของแอปพลิเคชันที่ต้องอาศัยหน่วยความจำขนาดใหญ่ อย่างเช่น โปรแกรมวีดีโอคอนเฟอเรนซ์แบบเรียลไทม์ บริการรักษาโรคทางไกล การติดต่อสื่อสารแบบทูเวย์คอมมิวนิเคชัน และการแสดงผลภาพกราฟิก 3 มิติ ที่น่าสังเกตคือ 2Gb 80nm DDR2 SDRAM จะใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 80 นาโนเมตรแทนเทคโนโลยี 65 นาโนเมตร พลิกความเชื่อในวงการอุตสาหกรรมไอทีที่ว่าการเพิ่มประสิทธิภาพให้กับชิปจะสามารถเป็นไปได้เฉพาะการใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 65 นาโนเมตรหรือเล็กกว่าเท่านั้น "สิ่งที่เกิดขึ้นแสดงให้เห็นว่า เราสามารถขยายขีดความสามารถของชิปได้ด้วยการปรับดีไซน์และเทคโนโลยีการประมวลผลเสียใหม่ ไม่จำเป็นต้องพึ่งเทคโนโลยีการผลิตขนาดเล็กเพียงอย่างเดียว" Hwang Chang-Gyu ประธานฝ่ายผลิตชิปของซัมซุงกล่าวกับผู้สื่อข่าวเอเอฟพี DDR2 จะมีความเร็วสูงกว่า และสามารถประมวลผลสัญญาณได้มากกว่า เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี DDR-400 ในปัจจุบัน นักวิเคราะห์ส่วนใหญ่เชื่อว่า DDR2 จะยังไม่เป็นที่แพร่หลายจนกว่าจะปลายปี 2004 หรือต้นปี 2005 อย่างที่บริษัทการ์ตเนอร์ดาต้าเควสต์ (Gartner Dataquest) ผู้เชี่ยวชาญด้านการวิจัยตลาด ได้คาดการณ์ไว้ว่ามาร์เก็ตแชร์ของเทคโนโลยี DDR2 จะโตขึ้นจากเดิม 11% ในปีนี้เป็น 50% ในปลายปี 2005 ซึ่งจะมีผลทำให้ DDR2 กลายเป็นผลิตภัณฑ์หลักในสาย DRAM ไปโดยปริยาย ซัมซุงคาดว่า จะสามารถเดินสายพานผลิต 2Gb 80nm DDR2 SDRAM ได้ในครึ่งหลังของปี 2005 ซัมซุงยังแย้มถึงการพัฒนาโปรเซสเซอร์สำหรับอุปกรณ์พกพา ความเร็ว 667 เมกะเฮิร์ตซ ซึ่งถือว่าเป็นความเร็วที่สูงที่สุดในโลกขณะนี้ด้วย ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการประมวลผลภาพ 3 มิติ จากการสำรวจในไตรมาส 2 ปี 2004 ยอดขายรวมเมมโมรี่ชิปของซัมซุงอยู่ที่ 3.57 ล้านล้านวอน (ประมาณ 3.1 พันล้านดอลลาร์) เพิ่มขึ้น 13% จาก 3.16 ล้านล้านวอนในไตรมาสแรก ส่วนไตรมาส 3 ที่จะสิ้นสุดในเดือนกันยายนนั้น คาดว่ายอดขายเมมโมรี่ชิปรวมจะเพิ่มสูงขึ้นกว่านี้อีก